El Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (IMECAS) ha anunciado un hito que podría cambiar la ruta de desarrollo de los semiconductores más avanzados. En un experimento revelado por DigiTimes, investigadores integraron transistores tipo Gate‑All‑Around (GAA) con nanosheets apiladas usando litografía de ultravioleta profundo (UVP). Este tipo de transistor es el mismo que emplean Samsung, TSMC e Intel en sus procesos de 3 nm, 2 nm y 18A, pero ellos dependen de la litografía de ultravioleta extremo (UVE) de ASML, a la que China no tiene acceso por sanciones de EE. UU. y Países Bajos.
Las restricciones han impulsado a compañías chinas como SMEE y Shanghai Yuliangsheng Technology a invertir en equipos UVP, cuya longitud de onda es de 193 nm, mucho mayor que los 13,5 nm de la UVE. A primera vista, parece contradictorio que una tecnología con una longitud de onda tan grande pueda producir nodos de 3 nm, pero la industria ya usa técnicas de multiple patterning, deposición y grabado para superar esa limitación. El avance de IMECAS muestra que, al combinar la arquitectura GAA con procesos UVP refinados, es posible crear estructuras que cumplen con los requisitos de los nodos más finos sin necesidad de la maquinaria prohibida.
Este logro no implica que China pueda lanzar en corto plazo chips de producción masiva a 3 nm. La integración experimental todavía requiere validar la reproducibilidad, el rendimiento y la rentabilidad a escala de oblea. Sin embargo, abre una vía alternativa que podría reducir la dependencia del país en la tecnología UVE, acortando la brecha con líderes como Taiwan, Corea del Sur y Estados Unidos.
El desarrollo de los transistores GAA y las nanosheets apiladas ha sido una prioridad de IMECAS durante varios años. La arquitectura permite un control eléctrico superior y una mayor densidad de transistores, lo que se traduce en mejor eficiencia energética y rendimiento. Para los fabricantes chinos, adoptar GAA significaría abandonar los tradicionales FinFET y acercarse a la vanguardia tecnológica sin esperar la autorización de equipos extranjeros.
En el contexto global, la noticia refuerza la tendencia de diversificación de la cadena de suministro de semiconductores. Mientras EE. UU. y sus aliados buscan restringir el acceso a equipos críticos, China intensifica su investigación interna para crear soluciones propias. Si la ruta UVP‑GAA se consolida, podría generar una nueva competencia en el mercado de litografía y modificar el equilibrio de poder en la industria.
Por ahora, la comunidad internacional observa con cautela los resultados de IMECAS. Los próximos años serán decisivos para determinar si la estrategia china logra escalar la tecnología y ofrecer chips de alta gama a precios competitivos, o si seguirá dependiendo de la infraestructura de litografía UVE controlada por ASML.
Fuente: xataka