Frank Rohmund, director general de la alemana Zeiss, declaró en la reciente conferencia SEMICON en Taiwán que la brecha entre sus ópticas de fotolitografía y las que China posee actualmente es de alrededor de quince años. La afirmación se basa en la diferencia de precisión y complejidad de los sistemas ópticos que Zeiss suministra a los equipos de litografía ultravioleta extrema (UVE) de ASML, líderes mundiales en la fabricación de chips. Aunque la declaración parece una estrategia de posicionamiento, no oculta que China avanza con un prototipo de máquina UVE operativa en un laboratorio de alta seguridad en Shenzhen, liderado por Huawei y sus socios estratégicos.
El proyecto chino reúne a cientos de ingenieros de instituciones como el Instituto de Tecnología de Harbin, responsable de la fuente de luz, y el Instituto de Óptica de Changchún, encargado del diseño óptico. La empresa estatal SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) se ocupa de la integración final, mientras que SiCarrier, vinculada al gobierno de Shenzhen y a Huawei, aporta recursos financieros y tecnológicos. El objetivo oficial del gobierno chino es iniciar la producción de chips con tecnología UVE en 2028, aunque la mayoría de los analistas sitúan la fecha más realista en 2030.
Zeiss destaca que sus espejos, fabricados con una precisión atómica mediante pulido con iones de argón y análisis subnanométrico, son esenciales para transportar la luz UVE de 13,5 nanómetros desde la fuente hasta la máscara que define el patrón del chip. Cualquier desviación mínima en la superficie de los espejos altera el patrón y genera defectos en la oblea de silicio, comprometiendo la funcionalidad del circuito integrado. Por ello, la compañía considera que sus ópticas son insustituibles en los equipos de última generación.
El debate sobre la longitud de onda adecuada para la litografía UVE ha sido largo. Inicialmente se evaluaron cuatro opciones (13,5 nm, 11,4 nm, 6,6 nm y 4,8 nm). Las dos más cortas fueron descartadas por limitaciones de los materiales fotoresistentes orgánicos, mientras que la de 11,4 nm requería berilio, un elemento tóxico. Finalmente, la de 13,5 nm se eligió porque solo necesita molibdeno y silicio en los espejos, materiales menos problemáticos y compatibles con la alta precisión requerida.
Aunque la máquina UVE china aún no ha demostrado la capacidad de producir circuitos integrados funcionales, su existencia indica un salto significativo en la independencia tecnológica de Pekín. Si logra superar los retos de precisión óptica, podría reducir su dependencia de proveedores europeos y estadounidenses, alterando el equilibrio geopolítico de la industria de semiconductores.
En conclusión, la afirmación de Zeiss subraya la ventaja tecnológica actual de Europa en ópticas de litografía, pero también revela la determinación de China por cerrar la brecha en los próximos años. El escenario futuro dependerá de la capacidad china para replicar o innovar en la fabricación de espejos a nivel atómico y de la respuesta de los actores tradicionales del mercado.
Fuente: xataka