La comunidad científica lleva ocho años investigando la wurtzita, una estructura cristalina que ha demostrado un enorme potencial para la fabricación de chips de memoria. En 2018, el investigador alemán Simon Fichtner confirmó la ferroelectricidad del nitruro de aluminio y escandio (AlScN), un material con dos estados de polarización eléctrica estables, ideales para representar los bits de datos. Su alta polarización remanente sugiere la posibilidad de crear memorias no volátiles más pequeñas y rápidas que las actuales, aunque su degradación tras numerosos ciclos de escritura ha sido un obstáculo.
Un equipo de la Universidad de Xidian, en China, anunció el 10 de septiembre en la revista Science que ha logrado superar esa limitación. Los investigadores, liderados por Ruiqing Wang, diseñaron una superred de AlScN/AlN que confina las vacantes de nitrógeno, principal causa de desgaste, y aplicó un protocolo dinámico de recuperación, un “descanso eléctrico” programado que prolonga la vida útil del material. Con este método, la memoria alcanzó más de 10.000 millones de ciclos de escritura, una cifra inédita para este tipo de ferroelectricidad.
Este avance no es el primer hito de magnitud similar. En enero de 2026, Hyunmin Cho y su equipo internacional publicaron en Nature Communications una solución basada en condensadores ferroeléctricos de AlScN de menos de 50 nanómetros, también superando los 10.000 millones de ciclos. Sin embargo, la novedad del trabajo chino radica en la estrategia de confinamiento de vacantes, que abre una vía distinta para mejorar la resistencia del material.
A pesar del éxito experimental, la tecnología de wurtzita aún enfrenta desafíos críticos antes de desplazar a las memorias DRAM o NAND. La producción a gran escala, la densidad de almacenamiento, la velocidad de acceso y el consumo energético son áreas que requieren optimización. No obstante, eliminar la barrera de la degradación prolonga la viabilidad comercial y acelera la investigación en este campo.
Para China, la relevancia estratégica es clara. Los centros de datos que alimentan la inteligencia artificial dependen actualmente de memorias de alto ancho de banda (HBM) fabricadas por Corea del Sur y EE. UU. Si la wurtzita permite desarrollar HBM locales, el país podría reducir su dependencia tecnológica y posicionarse como líder en la próxima carrera de memorias de alto rendimiento.
En conclusión, el descubrimiento chino representa un paso decisivo hacia memorias más duraderas y eficientes, pero la transición a una producción masiva seguirá siendo un reto. Mientras tanto, EE. UU. y sus aliados deberán reforzar sus programas de investigación para no perder terreno en la disputa global por la supremacía de los chips de memoria.
Fuente: xataka